想必大家都知道，我國的航天事業(yè)采用了許多機(jī)電元件，而作為基點行業(yè)晶體元件的“五代機(jī)元件”，富士智能IGBT模塊，你了解多少呢？
富士智能IGBT模塊（絕緣柵雙極晶體管）已經(jīng)發(fā)展到第五代，性能不是一般般的先進(jìn)哦。與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比較，它最最突出的兩項厲害本領(lǐng)就是：耐高壓、大容量。為了獲得這兩樣“先進(jìn)能力”，設(shè)計師們可沒少花功夫哦。那我們就來看看IGBT在構(gòu)造上有什么不同一般的亮點呢：
亮點一，是采用FZ晶片。近幾年來，由于機(jī)電元件并列使用的大量提高始的外延片難以滿足大容量化要求，而通過采用FZ晶片，能夠獲得很薄的晶片厚度，產(chǎn)生低通態(tài)電壓。
亮點二，采用FS構(gòu)造。由于應(yīng)用了FZ晶片，這款智能模塊得以輕松設(shè)置維持電壓的緩沖層，摒棄傳統(tǒng)的生命期控制技術(shù)，實現(xiàn)了比傳統(tǒng)元件更先進(jìn)的低通態(tài)電壓特性。
亮點三，表面溝漕技術(shù)。IGBT比傳統(tǒng)產(chǎn)品更加注重精細(xì)化，測試表明，在SI表面開漕的IGBT溝漕技術(shù)，破解了以往表面化構(gòu)造細(xì)微化的技術(shù)屏障，從而使產(chǎn)品特性得到很好的改善。
除了這些，IGBT還有許多優(yōu)越之處，這里不一一例舉，總之，長江后浪推前浪，第五代就是第五代，先進(jìn)性能不可否認(rèn)。
做為在這個行業(yè)中的發(fā)燒友，你是不是還在使用雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET呢?但請問高耐壓、大容量元件這兩個問題怎么解決？想不通？那不妨來看看上海萱鴻電子有限公司的富士智能IGBT模塊系列產(chǎn)品吧！
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