品牌：西門康

參數(shù) ： 150A 1200V

產(chǎn)地 ：德國

　　制造商Infineon產(chǎn)品種類IGBT 模塊RoHS是產(chǎn)品IGBT Silicon Modules配置Hex集電極—發(fā)射極電壓 VCEO600 V集電極—射極飽和電壓2.45 VContinuous Collector Current at 25 C50 A柵極—射極漏泄電流300 nA功率耗散180 W工作溫度+ 125 C封裝 / 箱體EconoPIM2柵極/發(fā)射極電壓+/- 20 V工作溫度- 40 C安裝風(fēng)格Screw標(biāo)準包裝：500 IGBT介紹IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)絕緣柵雙極晶體管是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。

　　多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照像機的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型，主要應(yīng)用在工業(yè)上。模塊的類型根據(jù)用途的不同，分為多種形狀及封裝方式，都已形成系列化。

　　IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，與同一個標(biāo)準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖。

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